اخبار اخبار ایران و جهان

ساخت “نانوفیلم اکسید روی” در واحد علوم و تحقیقات دانشگاه آزاد

نوشته شده توسط زینب دبیری

پژوهشگران واحد علوم و تحقیقات دانشگاه آزاد اسلامی، به منظور ایجاد فیلم‌های نانوساختار از روشی استفاده کرده‌اند که در زمان اندک و در دمای محیط قادر به تولید این فیلم‌هاست.
در این تحقیقات اثر ضخامت بر خواص الکترونیکی و نوری این فیلم‌ها مورد بررسی قرار گرفته است.
به گزارش روابط عمومی واحد علوم و تحقیقات، محمدتقی حسین‌نژاد محقق و دانشجوی دکترای این واحد دانشگاهی در این زمینه، گفت: در ده‌‌های گذشته نانو ساختارها و لایه‌های نازک اکسید روی به دلیل ویژگی‌های مناسب توجه زیادی را به خود معطوف کرده‌اند، اکسید روی یک گزینه مطلوب برای دستگاه‌های نوری با طول موج کوتاه است. همچنین ساختارهای مبتنی بر اکسید روی در حوزه‌های مختلف همانند آشکارسازهای UV، حسگرها، فیلترها و سلول‌های خورشیدی نیز به کار می‌روند.
وی با بیان اینکه انواع زیادی از روش‌ها برای ساخت فیلم‌های نازک اکسید روی استفاده شده است، افزود: این روش‌ها شامل رسوب لیزر پالسی، رسوب لیزر اتمی، رسوب بخار شیمیایی و سل – ژل است.
حسین‌نژاد ادامه داد: این پژوهش‌ها به منظور بررسی اثر روش ساخت و عوامل دخیل در آن بر خواص ساختاری، ظاهری، نوری و الکتریکی فیلم‌های نازک اکسید روی انجام شده است. در این تحقیق، تلاش شده تا تولید فیلم‌ نازک اکسید روی در دمای محیط، با استفاده از دستگاه پلاسمای کانونی (Plasma Focus) مورد ارزیابی قرار گیرد.
وی با بیان اینکه استفاده از دستگاه پلاسمای کانونی (PF) به منظور رشد لایه‌های نازک روشی است که به تازگی مورد توجه محققان قرار گرفته است، خاطرنشان کرد: این روش بر اساس کندوپاش نانوذرات روی (Zn) و برهمکنش‌های شیمیایی آنها با یون‌های اکسیژن حاصل از فروپاشی پلاسمای داغ اکسیژن است که در دستگاه پلاسمای کانونی تولید می‌شود.
وی با اشاره به مزایای این روش، در مورد آنها گفن: یکی از ویژگی‌های منحصر به فرد رشد لایه‌های نازک با استفاده از دستگاه پلاسمای کانونی، عدم نیاز به گرم کننده به منظور گرم‌کردن زیرلایه است. علاوه براینکه رشد لایه با ضخامت دلخواه و چسبندگی قابل توجه در زمان اندک، از دیگر مزایای این روش محسوب می‌شود. در بسیاری از روش‌های دیگر لایه نشانی، این امر جزو مشکلات فرایند رشد لایه محسوب می‌شود.
وی تصریح کرد: در این تحقیق لایه‌های اکسید روی با ضخامت‌های مختلف رشد داده شده و اثر تغییرات ضخامت بر خواص ساختاری، ظاهری، نوری و الکتریکی این لایه‌ها بررسی شده است، خواص ذکر شده به کمک روش‌های XRD، SEM و AFM مورد ارزیابی قرار گرفته است.
وی گفت: نتایج این تحقیقات نشان داده که با استفاده از این روش می‌توان لایه‌های نازک اکسید روی را با ضخامت دلخواه روی سطح رشد داد، چسبندگی بسیار بالای لایه‌ها به علت انرژی بسیار بالای یون‌ها در حین فرایند لایه نشانی رخ داده است. همچنین با تغییر در تعداد شات‌ها، خواص لایه‌ها متفاوت می‌شود،این در حالی است که آزمون‌های مرتبط با خواص نوری و الکتریکی لایه نشان می‌دهد که با افزایش تعداد شات‌ها، رسانندگی الکتریکی و پهنای انرژی دستخوش تغییرات چشمگیری می‌شوند.
حسین نژاد اظهارداشت:از آنجا که در این روش ذرات یونی و اتمی با انژی بسیار بالایی با سطح زیرلایه برخورد می‌کنند، می‌توان از آن برای برخی محصولات میکروالکترونیک که نیازمند کاشت یون با انرژی و عمق نفوذ بالایی هستند استفاده کرد، علاوه براینکه این روش به دلیل کندوپاش با حجم زیاد و زمان بسیار اندک می‌تواند به منظور رشد لایه‌های ضخیم نیز به کار رود.

درباره نویسنده

زینب دبیری

دیدگاه شما چیست